名 称
, W& v" C+ h3 x9 _, z2 j2 O. M# i | 一 级
8 U! o* p! p; d2 \ | 二 级
7 {# ^1 ?% V& v+ [& P) L | 三 级 * m, @6 J8 L" K G( x' ~0 C# P9 |
|
PH值范围(25℃) % t, B) w0 H: `/ l
| -
) ]6 V4 _" v* Z. ? | - 9 [' a. {5 K. K8 J+ B9 D
| 5.0-7.5 7 B- i/ z' r4 p2 \, M) p W, U2 v9 z
|
电导率(25℃),mS/m ≤
: T; z3 L. y* V" \! W0 M | 0.01 4 Y: U' V7 q; _
| 0.10 5 R+ A! N! `. E
| 0.50 # P- O$ c% R4 A0 x' A9 ^
|
比电阻(MΩ.cm.25℃)≥ # U0 x" T' B& V
| 10
# j2 z* r, h* n v( T | 1
- x* s# m3 V6 A: g+ z! p | 0.2
$ j0 }' s: c0 r |
可氧化物质[以(0)计],mg/L 4 e* N6 M4 Y0 d* a* U
| -
* D( G7 r5 z G) D4 u- t& W | 0.08
; H& d( u1 F8 w9 r, c- H | 0.40 0 U0 m/ z) H0 n V
|
< 吸光度(254nm,1cm 光程)≤
% `2 B Z! O3 x) f0 ^+ @ | 0.001 8 {( I9 |/ I7 M
| 0.01 & w: P& X$ Y: Y8 y
| -
! l8 N( N0 S9 C |
蒸发残渣(105±2℃),mg/L≤
( n) o6 I' {8 G# ^ | - 9 |; G4 i- f/ e. U; ?
| 1.0 , L, H. |2 `8 g. N: Z& s7 A; f
| 2.0 5 a2 o. n1 ^- `# K; s/ J9 M
|
可容性硅[以(sio2)计],mg/L< 2 t' Q3 \: s( {. J2 W5 G
| 0.01 % i( l' j; L2 W; ]% t( [
| 0.02 / |! J! F+ I- d
| -
, u6 O; a: M7 ^ g6 ^ |