名 称
6 m/ H$ E- {8 b0 ^1 | | 一 级
% a- |% @$ D$ j! z7 f6 I6 t | 二 级
/ q V" k6 m: q- c. t | 三 级 : w9 I; J2 Z1 ]+ a0 ] G
|
PH值范围(25℃)
) q0 h& A7 s4 ~) V7 P | -
2 A8 [/ J9 Q3 y* h3 c | - 6 X; ?! _; _& n6 K' S
| 5.0-7.5 / u6 G( q' T0 D9 C& m# y
|
电导率(25℃),mS/m ≤
X- {' z2 e- P | 0.01 ( c- Y# l' B! d2 `" n
| 0.10 - f( H8 i( M# K6 P; X4 T; A
| 0.50
# l- P; O: @' I) w, j L4 U |
比电阻(MΩ.cm.25℃)≥ 9 }/ Y& O8 a' ? g& ~8 T
| 10 , }% a+ Y" H+ e+ [; l% b
| 1 2 R, H/ [5 y7 N
| 0.2 # v( p7 p; W# V& X3 O9 v5 W' F( J
|
可氧化物质[以(0)计],mg/L * _- a: h2 ?5 v# W; L
| -
* I2 s/ a2 Q0 p" u4 R) ]! }0 Y! J | 0.08 , Y1 j6 ~. R/ I3 Z: I0 y
| 0.40 & T3 q3 E: E: B4 T7 b- ^7 q
|
< 吸光度(254nm,1cm 光程)≤ * ~. q3 T" v2 |3 i
| 0.001
. I. x( w' ?! R, Y+ } | 0.01 : l, \2 k# L" B2 `
| - * N) s3 X% Y' ~7 e. @: D
|
蒸发残渣(105±2℃),mg/L≤ - k: |+ Y5 C4 E9 A
| - ! |; m" w* z) l, V6 p
| 1.0 ( n% v! G& x+ e- A& h: V: P
| 2.0
4 `4 O( h/ @8 |* s; S |
可容性硅[以(sio2)计],mg/L< 7 A% q2 w% r6 r
| 0.01 6 \7 F/ B6 e' n5 @
| 0.02 ; r3 u6 p+ c; v9 k2 d
| - % ]7 @( v6 ^/ h6 ~0 T
|