名 称
/ y$ T: Q% S7 y | 一 级 5 ?) }. m1 W: X% a# j6 z% ~
| 二 级 : S: }& P8 F$ |+ j9 ~+ q6 s
| 三 级 ; j N @$ y. }. P9 ~
|
PH值范围(25℃) ) o6 [/ v8 Y9 L" a/ L
| -
8 r4 T* u- e/ S4 Z. u# C, j a | - / M- s* b+ l% ~; B; f5 C: r* C
| 5.0-7.5 ) r2 s" E( C( y* V
|
电导率(25℃),mS/m ≤
, O! M2 q9 ~" s$ z7 L5 N% P | 0.01 9 u& f0 x- }+ ?9 |% |9 F
| 0.10 ( t2 D, k9 C$ g6 B, S+ @6 D
| 0.50
: {# f+ Z+ b; b- ?1 K+ F3 h; l |
比电阻(MΩ.cm.25℃)≥ 8 \6 n' N5 C8 l6 _
| 10 , d; ]' G8 I. ^+ U; Q
| 1 : e% _2 s# W3 _( y+ O
| 0.2
3 f$ d$ `. b+ o4 H) j( T1 o, ] |
可氧化物质[以(0)计],mg/L 5 A9 ~8 I3 C) R# O) j8 ~$ y
| - ; T/ s3 j# R, T
| 0.08
9 S! h# ` J# B% ~& k! I5 V | 0.40 " Z& C5 _) H+ [0 m/ v5 N
|
< 吸光度(254nm,1cm 光程)≤
1 q. p0 G# |6 u! q' M: m9 { | 0.001 8 ^) l" X1 R3 `+ `1 o2 W
| 0.01 6 r! Q$ ?9 l% N5 u/ A
| -
! w7 O5 E" ^, J% R. i) O: S |
蒸发残渣(105±2℃),mg/L≤ 4 R# d, P5 b2 }* z5 Y' ?* i
| - & m+ j+ z' Y* e& Y
| 1.0 6 S. m$ I# B. Z \8 }# |1 B3 `+ i& e
| 2.0 8 M0 \. S) @3 d/ B& q& A S
|
可容性硅[以(sio2)计],mg/L<
/ o9 ?: g, i6 c | 0.01 C, |) D) y8 j6 U$ S. u2 ]" m
| 0.02
9 ]/ ^2 T" W: X2 q( c9 B7 t, ~* O | -
5 M% R' A8 }( X8 y* I. v |