名 称
# J+ O9 K- Z: T# Z | 一 级 * j6 f0 k ]& C& B3 R3 {+ U$ h
| 二 级
$ d/ l. C( }& q | 三 级
, t( m6 A* c6 J* k |
PH值范围(25℃) ( V: ~" N8 e1 I/ I. o! c9 x7 z- w
| -
" ~" v5 {% Y9 l& g; i3 r | - & v9 `6 x# Z! f, b% K1 K: \
| 5.0-7.5 " S& j& n3 n% O
|
电导率(25℃),mS/m ≤
( \2 T. U+ e( Q5 b/ P9 k | 0.01
6 E( N: Z+ q% N" x7 G: h | 0.10
6 c* k) n! P# w$ k/ k | 0.50
# h. f! V" U( K6 d |
比电阻(MΩ.cm.25℃)≥
( C4 p3 S& @: R: | C' Z; i- A1 t | 10
9 h: i4 m% Y% @# M | 1 - I# v4 k+ b+ m$ B4 T/ `; \
| 0.2
' q8 ]2 d( T( i$ B. p/ ~; u } |
可氧化物质[以(0)计],mg/L
# F- B1 G8 Q' T | - . q1 h3 f' C# d2 \6 f' H0 N
| 0.08 4 q, R3 _+ a0 u# F
| 0.40 & I1 p' O; q+ ]9 h. D: w
|
< 吸光度(254nm,1cm 光程)≤
4 ^: A) j/ E) }/ q3 k | 0.001
/ @: m. h2 y% m. P8 n: u5 \) D; z' w+ [ | 0.01 ' o) w7 i) f' h- x F2 h+ X
| -
: d! S0 @+ u0 W- Q# L2 M |
蒸发残渣(105±2℃),mg/L≤ , R; A( q1 G$ k8 f5 I' _
| -
n3 z- T; t' @7 c8 z6 ]. u7 e2 t | 1.0 4 W% ^& ^: I _7 E& K+ y
| 2.0 ( q: Z/ a5 `# e" x# {+ K, V3 |$ n
|
可容性硅[以(sio2)计],mg/L< - i7 o( p0 r. B3 u
| 0.01 9 v. K% w. X$ c! N0 i
| 0.02 , D' _- L1 X" V$ u- D
| - 3 H% \3 J( l0 I* d1 Z+ I
|