名 称 : \ }+ N: ^8 X8 i; O" E& t. g
| 一 级
; y" f- m0 J) \# R# d | 二 级 ; f' @, e D8 y1 @% K. ?
| 三 级
' c1 R, h/ l' W0 S: s |
PH值范围(25℃)
2 c& c# J% k5 G+ s" n | -
8 Z! `( `' q4 z& y; x. Q | -
/ v! G+ Q2 K- S$ t | 5.0-7.5
* L! c$ r# s! @* R |
电导率(25℃),mS/m ≤
. q9 o* N; k* P a9 ? | 0.01
# l7 O8 |- Z4 \1 k | 0.10
& k# U8 L/ `& n# j1 i+ }1 \ | 0.50 . S& h, H' a( V6 S( u, _' D. I
|
比电阻(MΩ.cm.25℃)≥ - t# J" u5 h/ ^* u# W9 _, i/ Y# @
| 10
! E1 n/ t V8 `3 m5 l9 L) N | 1
* b9 b" ^2 n3 {0 b# c; T+ B% H | 0.2 6 X3 Q. {; D/ ]9 d/ J
|
可氧化物质[以(0)计],mg/L
# N/ }! L: c. V$ j! L | -
5 l$ r- c! @$ p: [% u% H | 0.08 ( }$ b- V5 A2 z" L$ V
| 0.40 ) A8 u' D% Q x% ~
|
< 吸光度(254nm,1cm 光程)≤ * ?8 ~8 A2 h2 ~! W# Q
| 0.001
7 m6 x; R6 f6 \% c. v% P' c% @ | 0.01
" Y$ d) D. a- P | -
1 x: F, z6 w' \) h) F3 Y8 X |
蒸发残渣(105±2℃),mg/L≤
& h' t. ]& G5 [ | - 0 I( E9 K3 @. ~" X. z
| 1.0
" m- J4 m- p4 i | 2.0
( F @, R; c1 u |
可容性硅[以(sio2)计],mg/L< " Y( s- c3 }8 i6 ^& N6 t/ P
| 0.01
1 o0 V, ?# v- a5 y6 G' A | 0.02
! q: ]) C+ Q; T. o | - # h6 C' Z9 }( b. g, X
|