名 称 7 H. S, j2 S6 Z( w% d# o: l+ N$ J; E
| 一 级
' C2 M5 P( o2 ^- |. W | 二 级 2 |/ c& s! X1 n! i# D) i, X
| 三 级 9 d; M( G; Y( }6 o
|
PH值范围(25℃)
% m* H5 M: t$ V' g | -
# x: v; K0 k) q! J0 ^ | -
% d. X* ~* `8 R0 ? | 5.0-7.5 8 ~8 `7 H9 Q& N6 u
|
电导率(25℃),mS/m ≤ ! s; h/ d8 P4 U$ q3 l) ]
| 0.01
9 r6 z( ?. B( D+ x | 0.10
7 M0 R+ o+ o6 D" L8 P0 e3 z0 t | 0.50
& I1 `& L4 @: n8 _; a, D: M) u |
比电阻(MΩ.cm.25℃)≥ 4 n9 O) h' J D9 ^6 \
| 10 6 r0 O8 L2 m9 J* a, y& [, Y3 ]
| 1 6 M2 [' n" u9 O$ @" e- u' T
| 0.2 " S4 N& x! K+ W# C8 [; p
|
可氧化物质[以(0)计],mg/L + H. C- }! x) h0 F( ~: v0 B) y7 ^
| - ' Z; s* {. K, o" n
| 0.08 # R) g4 f( | ~! E7 Z0 `
| 0.40 ) C) z$ E' ~# O5 m
|
< 吸光度(254nm,1cm 光程)≤ / D; a i; q; k8 y
| 0.001
; ?' q' @2 i8 e# m3 {: o. f3 e | 0.01 5 k# _& b8 P6 m4 o% I E+ E1 D: t
| - , l4 ~& B( L m) ~! C1 L: I
|
蒸发残渣(105±2℃),mg/L≤
# k& l7 H- Z) z, Z* |* i+ I: v | -
3 k; S$ t% S% _, n | 1.0 : e; [- {* n2 }8 r/ F5 S
| 2.0
; }7 U) K, z5 k. e @ |
可容性硅[以(sio2)计],mg/L< 3 U* p) O% _) i/ ?
| 0.01
7 I7 F( U3 b5 x+ a# C" Z* f/ C | 0.02
0 P* m1 r2 P( k8 S- _- ?$ l | - - v ^: ~1 J, ?; O' i- i
|