名 称
$ `, N1 ~! U4 y9 S3 K+ z | 一 级
! ?1 r& s5 Z+ }; y) ] | 二 级 2 T3 k1 M* ~/ J/ L ]4 V
| 三 级
9 ~5 l2 X$ u2 f( f+ c3 o0 k |
PH值范围(25℃) & X1 e9 M( ^# T- ~6 P- p/ N
| - # G5 y/ L1 @7 ^; \" C! g
| - ' I. O9 y0 B. I, G2 H5 J$ d& b
| 5.0-7.5 2 u* l# v' {% g; m' P1 }/ E m
|
电导率(25℃),mS/m ≤
. b4 p, f9 }3 T) { | 0.01 o2 F+ u. m" D5 f& K# E
| 0.10 9 j- y( E, e9 E G
| 0.50
# w; c! N) _8 h" d" K. F3 m |
比电阻(MΩ.cm.25℃)≥
) _* z5 k5 I7 ]/ ?8 l6 { | 10
( l: z; q' ?) U4 L1 z | 1
2 o/ V8 P- M$ S N, J | 0.2
9 O/ h+ }* V* l6 ~9 l, A |
可氧化物质[以(0)计],mg/L + D* {9 f4 A; v
| - 9 e4 ?2 h+ E4 x7 V8 U* k
| 0.08
5 d S, c7 e) ~- }* H | 0.40 $ L8 J! A0 J0 c0 G3 B! u, s
|
< 吸光度(254nm,1cm 光程)≤
( v/ {4 ]& e0 _# ~" n0 g# E | 0.001
7 y7 I: {* v; P" \, P | 0.01
5 c$ c- p& z7 Q | - 1 q0 X3 G) P& ?
|
蒸发残渣(105±2℃),mg/L≤
; T1 L8 J2 O# P% z8 ?% I a5 S | - & Y4 w/ h- k1 w6 Y* B& ^% o! C% U
| 1.0 , R1 N" u/ p- s+ \
| 2.0
9 P; S4 I2 s9 l# C |
可容性硅[以(sio2)计],mg/L<
8 J: l& q" R/ H' x* a | 0.01
- m* m% \* ~% O2 U: l | 0.02 0 K w. y. m; W( C4 r" m
| - 6 l ?; C- @/ w# |1 G% h; l7 _
|