名 称 + w3 @6 u$ e% \8 L7 \0 H
| 一 级 . V/ f! T" f+ K
| 二 级 + V' _" t2 _; J) p6 }5 P
| 三 级
- `1 T: j2 V5 G" Y |
PH值范围(25℃) 4 _0 e6 h# T9 f
| -
; D& H" |( _9 F+ s, w | -
. s! w" H$ W. w$ ` p& u | 5.0-7.5
1 t# b! `. b. s& l, h* _! D1 X |
电导率(25℃),mS/m ≤
2 p! N: p# |1 R7 F2 L | 0.01 - v& Z$ W- H- t
| 0.10 1 G" R( H2 [* Q! O
| 0.50
' G8 P3 f; u0 y' \& U |
比电阻(MΩ.cm.25℃)≥
% V7 S; a0 T6 T# n( b; q4 P5 \ | 10 / }: V- p% U% X6 M, z8 y
| 1 . F* _0 b/ ~$ T( b/ T+ S) D
| 0.2
* d+ X0 d4 z6 X8 i |
可氧化物质[以(0)计],mg/L : f3 x$ P, ?0 F8 M- ^
| -
7 t6 I2 ~9 A, Z- T9 [5 ]. F) ] | 0.08
6 d) F6 V2 A. L( ?4 Q% P1 | | 0.40 8 Y9 ?. P7 z( Y: v1 g9 \7 Z
|
< 吸光度(254nm,1cm 光程)≤
: {1 E, ?* j( i+ [6 B9 l | 0.001
3 `, G/ k8 L: V5 ^ | 0.01
8 i, g0 c5 v" y+ O! F | -
! ?! w: c1 [- l+ x5 Z |
蒸发残渣(105±2℃),mg/L≤
$ J+ ~# e4 D \$ E/ ~ | -
6 r: n/ V0 z% @4 [2 S | 1.0 & T7 }3 d/ G- f/ f
| 2.0 8 {( [- M7 v& A% A
|
可容性硅[以(sio2)计],mg/L<
7 l g+ p& [! j6 q* N0 @ | 0.01 / r2 G/ R7 V; @% Z) U
| 0.02 7 T. P% I. [7 u, y
| -
2 y P5 b2 p/ Y8 D9 W' O6 g |