名 称 8 w2 Y% Z- M3 |1 r# q( R1 g' K* Y7 P
| 一 级
8 G8 s& j5 @9 u3 R. F5 Y; x | 二 级
$ g$ g0 H* R* c% S9 H | 三 级 3 V* _2 N2 D8 ?
|
PH值范围(25℃) : q4 {1 i1 C* O7 Y5 ~
| - 8 E# D. E$ ]$ T
| - " @8 ?: m( Y* ^; M/ ~' H
| 5.0-7.5 ) B: U, p7 T! U. O' B7 l
|
电导率(25℃),mS/m ≤ $ ]0 s5 i- T0 Q
| 0.01 5 X) }9 ]+ l/ |( h3 q# F9 h
| 0.10
; e% g. K$ |/ N | 0.50
D. [+ T+ J' j* M5 o1 [ |
比电阻(MΩ.cm.25℃)≥
; B& l) b8 m/ b7 Y. J/ c | 10
. m4 S4 K- ]4 S7 C( f! Y K | 1 % m2 I: K5 Y; a2 {' E7 p
| 0.2
( R6 w# b& ]6 e+ t& F! q; g2 | |
可氧化物质[以(0)计],mg/L
; G. f+ l* ^ g1 V | - ; C' k) @+ }$ a8 m% t6 i7 I
| 0.08 + m. M. I# E0 A
| 0.40
! z" E/ i5 D! f% Y |
< 吸光度(254nm,1cm 光程)≤ * v: ?) K0 F; \/ }9 [
| 0.001 - {4 d% v, C. C* z, ]' u) L0 x
| 0.01 % t9 H2 z( ~; n" K
| -
0 F& o* N# D. F% n# x |
蒸发残渣(105±2℃),mg/L≤
" y) B* I! Z K, c+ x( L | - 8 @ a- z/ q. k" @, U" l
| 1.0 5 T% m: E) i' `2 A, d x$ S
| 2.0
0 H! Y/ z8 S' V& h$ Q- x% r0 O |
可容性硅[以(sio2)计],mg/L<
: B, Z. v1 C. v! e, Y3 Y | 0.01 7 ?* r$ j5 H5 h, P% R
| 0.02
G6 C; k6 {% `' A+ n% l5 ] | -
9 h. w/ f9 v+ |: M" [0 y |